2026-08-12 23:39:06
第九代QLC技术采用了两家公司的CMOS直接键合阵列（CBA）架构，将先进CMOS晶圆与成熟的存储单元阵列平台相结合。与前代第八代2TbQLC产品相比，新技术引入了6平面架构及多项性能增强设计，实现了更高的写入与读取带宽，同时改善了读写功耗效率。亚汇网从官方新闻稿获悉，其NAND接口速度达到4.8Gb/s，较第八代器件提升了33%。铠侠首席技术官宫岛英史表示，随着AI应用从生成式AI向智能体和物理AI扩展，数据利用日趋多样化和复杂化，公司正通过将成熟的存储单元技术与最新CMOS技术相结合，加速第九代闪存的开发，在保持较高投资效率的同时实现高性能。闪迪首席技术官AlperIlkbahar则表示，AI的快速普及正在加速存储接口的迭代，市场对能更快进化的存储技术需求日益增长，第九代QLC技术展示了CBA架构在分别推进CMOS和存储技术创新方面的灵活性。相关阅读：《《
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